时间：4月16日（周四）下午13:30 - 15:00

地点：勤园20-518

报告简介：

复杂氧化物界面，特别是LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO)界面二维电子气因兼具超导、磁性及强自旋轨道耦合等关联物态，是构建下一代低功耗量子器件的理想平台。然而，与GaAs/AlGaAs等传统半导体异质结近乎理想的界面相比，LAO与STO间显著的晶格失配引入了较高结构无序，限制了在更洁净氧化物界面探索新奇物态的可能性。针对这一基础性挑战，本报告将从界面晶格工程与外场调控两个维度，系统阐述通过构筑低载流子浓度、高迁移率界面来诱导量子维度相变的最新进展。在界面晶格工程方面，以(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (LSAT)和Sr2AlTaO6 (SATO)逐级替代LAO，将晶格失配从~3%降至~1%乃至近乎零，伴随迁移率逐级跃升一个数量级，获得了低载流子浓度的洁净导电界面。在外场调控方面，选取LSAT/STO界面，通过背栅和离子液体栅极技术实现了载流子浓度超两个数量级的连续可逆调控。两种手段均成功将界面推至低载流子浓度、高迁移率极限，并观测到电荷分布从二维均匀态向一维畴壁局域态的维度过渡，以及输运特征从二维Shubnikov-de Haas振荡向一维B周期Aharonov-Bohm干涉效应的演化。这一可调的维度相变过程揭示了界面洁净度与载流子浓度协同调控关联氧化物量子态的核心作用。此外，利用Sr3Al2O6牺牲层的水溶性与强氧亲和力，我们实现了界面导电态关断、自旋轨道耦合及VO2相变调控，并为氧化物自支撑薄膜与硅基CMOS异质集成提供了新路径。

报告人简介：

韩昆，安徽大学物质科学与信息技术研究院副教授、硕士生导师。2012年本科毕业于四川大学物理学基地班，获学士学位；2016年于新加坡国立大学物理系获博士学位。随后在新加坡南洋理工大学物理与应用物理系及新加坡国立大学物理系从事博士后研究，2020年底加入安徽大学物质科学与信息技术研究院。主要从事复杂氧化物薄膜的制备与物性调控研究，近年来在SCI期刊发表学术论文60余篇，其中以第一作者或通讯作者在Science Advances、Nano Letters、Physical Review Materials、Applied Physics Letters等国际主流期刊发表论文10余篇。主持国家自然科学基金青年项目，入选安徽省青年百人计划、安徽省D类高层次人才。